تتقدم التكنولوجيا بوتيرة متسارعة، وفي هذا السباق اتخذت الصين خطوة من شأنها أن تؤدي إلى ثورة في طريقة تفاعلنا مع أجهزتنا.
يعتمد هذا الاختراق، المسمى PoX، على مادة مهمة مثل الجرافين، والتي يمكن أن تقضي على أوقات التحميل على الهواتف المحمولة وأجهزة الكمبيوتر والأجهزة الأخرى، مما يرفع تجربة المستخدم إلى مستوى لم نشهده من قبل.
كيف تعمل هذه الذاكرة العشوائية (RAM)؟
وكما ذكرنا، فإن سر هذه الذاكرة العشوائية يكمن في الجرافين، وهي مادة تتكون من طبقة واحدة من ذرات الكربون مرتبة في بنية ثنائية الأبعاد.
تشتهر هذه المادة بخواصها التوصيلية، حيث تسمح للشحنات الكهربائية بالانتقال عبر الذاكرة دون أي مقاومة تقريبًا، مما يؤدي إلى سرعات معالجة بيانات عالية للغاية.
بفضل هذه الذاكرة، يمكن كتابة البيانات في 400 بيكو ثانية فقط، وهو ما يمثل قفزة كبيرة إلى الأمام مقارنة بذاكرة DRAM التقليدية، التي تستغرق وقتًا أطول بكثير. ويتم تحقيق هذا الأداء بفضل ظاهرة تعرف باسم "الحقن الفائق"، والتي تملأ خلايا الذاكرة بالإلكترونات بسرعة فائقة.
إن هذه العملية، التي يبدو أنها تتحدى قوانين الفيزياء، قد تؤدي إلى تغيير التوقعات بشأن سرعة وكفاءة الأجهزة. بالإضافة إلى ذلك، فإن الذاكرة غير متطايرة، وهذا يعني أنها تحتفظ بالبيانات حتى عندما يتم انقطاع الطاقة، على غرار ما يحدث مع محرك أقراص فلاش USB.
وفي نهاية المطاف، قد يؤدي هذا إلى تسريع التقدم في مجالات مثل التعلم الآلي، والتنبؤ بالبيانات، وتحليل كميات كبيرة من المعلومات. وفي مجال الأجهزة الشخصية، من شأن هذه الذاكرة أن تلغي أوقات الانتظار عند تشغيل الهاتف الذكي أو الكمبيوتر.
إن العمل الذي يتم تنفيذه في جامعة فودان في الصين يشكل خطوة عملاقة إلى الأمام، ولكن لا تزال هناك العديد من القضايا التي يتعين حلها، سواء من حيث الإنتاج أو التنفيذ.
ومع ذلك، فإن أفق هذه التكنولوجيا يبدو واعداً، والتقدم المحرز في السنوات القادمة قد يغير الطريقة التي نستخدم بها التكنولوجيا إلى الأبد.
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق